Samsung готовится начать массовое производство шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4; запуск может состояться уже на следующей неделе. Новые микросхемы разрабатываются для использования в графических процессорах следующего поколения, в частности в решениях Nvidia для передовых систем искусственного интеллекта.
График производства согласован с планами Nvidia по выпуску её следующего ускорителя ИИ с кодовым именем Vera Rubin. Ожидается, что отгрузки HBM4 начнутся после празднования лунного Нового года.
Samsung прошла строгую сертификацию качества со стороны Nvidia и получила заказы на поставку, что подтверждает готовность чипов к интеграции в высокопроизводительные вычислительные платформы. Компания также увеличила объёмы образцов для тестирования модулей на стороне заказчиков.
Память HBM4 представляет собой существенный шаг по сравнению с текущими промышленными стандартами пятого поколения HBM3E, обеспечивая повышенную пропускную способность и энергоэффективность. Эти характеристики важны для обучения и эксплуатации крупных генеративных моделей ИИ.
По мере роста спроса на вычислительную мощность HBM4 прогнозируется как базовая технология для дата‑центров и рабочих станций повышенной производительности. Применение этой памяти в платформе Vera Rubin подчёркивает её стратегическое значение.
Увеличение объёмов тестовых образцов укрепляет конкурентную позицию Samsung на мировом рынке HBM, где она соперничает с такими игроками, как SK Hynix. Способность компании поставлять передовые решения памяти остаётся критичной на фоне смещения полупроводниковой отрасли в сторону аппаратного обеспечения для ИИ.
Комментариев